NTJD1155L 是一種雙通道 MOSFET 。該 MOSFET 在單個封裝中同時采用 P 和 N 通道，非常適用于低控制信號，低電池電壓和高負載電流。N 通道具有內部 ESD 保護功能，可以由低至 1.5V 的邏輯信號驅動，而 P 通道則設計用于負載切換應用。P 信道還采用半溝道技術設計。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N，P |
| 最大連續漏極電流 | 2.5 A，3 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | VEC |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 8 mΩ, 137 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.6V |
| 最大功率耗散 | 900 mW |
| 晶體管配置 | 隔離式 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 10 nC @ 10 V，11 nC @ 10 V |
| 長度 | 2.9mm |
| 晶體管材料 | Si |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
| 寬度 | 2.3mm |
