是 Infineon StrongIRFET 系列的擴展，針對 +5V 邏輯電平柵極驅動的優化。 它們共享與現有 StrongIRFET 系列相同的特性，如低 RDS（接通）用于提供更大效率，及高電路載流量用于提高耐用性和操作可靠性。
最佳 RDS（接通）@ VGS = +4.5V
適用于電池供電系統
應用范圍：電機驅動器、同步整流器系統、OR-ing 和冗余電源開關、直流-直流轉換器
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 298 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | D2PAK (TO-263) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 2.2 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.4V |
| 最小柵閾值電壓 | 1V |
| 最大功率耗散 | 375 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 寬度 | 10.67mm |
| 晶體管材料 | Si |
| 長度 | 11.33mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 170 nC @ 4.5 V |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
