Infineon 單 N 溝道 HEXFET 功率 MOSFET 設計用于注重效率和功率密度的應用。Advanced DirectFET 封裝平臺結合最新的硅技術，使此 MOSFET 可提供顯著的系統級節省和性能改進，尤其是在電動機驅動，直流 - 直流和其他大負載應用中。
Advanced 工藝技術
超小尺寸，薄型
高功率密度
低寄生參數
雙面冷卻
175°C 工作溫度
無導線
符合 RoHS
無鹵素
符合汽車規格
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 345 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | DirectFET L8 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0015 Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
