Infineon mos ? C7 系列該產品組合提供快速切換超級結點式高電阻器的所有優點、可提供更高的效率、更低的柵極電荷、易于實施和卓越的可靠性。
mosfet dv/dt 穩定增加
得益于同類最佳 fom rds （接通） * eoss 和 rds （接通） * qg 、效率更高
同類最佳 rds （接通） / 封裝
無鉛電鍍、無鹵模制化合物
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 33 A |
| 最大漏源電壓 | 700 V |
| 封裝類型 | Pg 至 247-4. |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 4 |
| 最大漏源電阻值 | 0.065 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | 硅 |
