Infineon F423MR12W1M1B76BPSA1 MOSFET
產品詳細信息
Infineon IGBT 模塊 FET 類型為 4 個 N 通道(半橋),可在 1200V 漏源電壓和 45A 連續(xù)漏極電流下工作。
底盤安裝
-40°C 至 150°C 工作溫度
屬性 |
數值 |
通道類型 |
N |
最大連續(xù)漏極電流 |
45 A |
最大漏源電壓 |
1200 V |
封裝類型 |
AG-EASY1B-2 |
安裝類型 |
底盤安裝 |
最大漏源電阻值 |
0.0225 Ω |
最大柵閾值電壓 |
5.55V |
晶體管材料 |
SiC |