Infineon OptiMOS 系列雙 N 溝道 MOSFET 的漏極至源電壓為 60 V它具有較大源引線框架連接的優點，用于電線粘結， 200um 粘結線的電流高達 20A。
符合汽車 AEC Q101 規格
? MSL1 高達 260°C Peak 回流
工作溫度? 175°C
?綠色封裝
?超低 RDS
?經過 100% 雪崩測試
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 20 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | TDSON |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.026 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.2V |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
| 晶體管材料 | Si |
