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Microchip TN0110N3-G MOSFET

訂貨號(hào)：TN0110N3-G 品牌：Microchip

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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Microchip TN0110N3-G MOSFET

產(chǎn)品詳細(xì)信息

這款低閾值增強(qiáng)型（常閉）晶體管采用垂直 DMOS 結(jié)構(gòu)和久經(jīng)考驗(yàn)的硅柵極制造工藝。該組合可使設(shè)備具有雙極性晶體管的功率處理能力，以及 MOS 設(shè)備固有的高輸入阻抗和正溫度系數(shù)。所有 MOS 結(jié)構(gòu)的特性確保該設(shè)備能夠免受熱耗散和熱感應(yīng)次級(jí)擊穿的影響。垂直 DMOS FET 非常適合各種需要極低閾值電壓、高擊穿電壓、高輸入阻抗、低輸入電容和快速切換速度的開關(guān)和放大應(yīng)用。

低閾值 - 2.0 V（最大值）
高輸入阻抗
低輸入電容 - 50 pF（典型值）
切換速度快
低接通電阻
無次級(jí)擊穿
低輸入和輸出泄漏

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	350 mA
最大漏源電壓	100 V
封裝類型	TO-92
安裝類型	通孔
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	4.5 Ω
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	2V
最小柵閾值電壓	0.6V
最大功率耗散	1 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	20 V
每片芯片元件數(shù)目	1
寬度	4.06mm
最高工作溫度	+150 °C
長度	5.08mm

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