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Infineon MOSFET

Infineon HSOF-8 表面安裝 N 通道 MOSFET 是一款新型老化產(chǎn)品、在 10V 柵源電壓下具有 1.5mohm 的漏極源電阻。MOSFET 具有 300A 的連續(xù)漏極電流。它的最大柵源電壓為 20V 、漏源電壓為 100V 。它的最大功耗為 375W 。 MOSFET 的最小和最大驅(qū)動(dòng)電壓分別為 6V 和 10V 。它經(jīng)過優(yōu)化、可降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗。MOSFET 可提供卓越的效率以及較長(zhǎng)的使用壽命、而不會(huì)影響性能或功能。

特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

? 100% 雪崩測(cè)試
?出色的柵電荷 x RDS （接通）產(chǎn)品（ FOM ）
? 無鹵素
?適用于高切換頻率
?無鉛 (Pb) 電鍍
?工作溫度范圍在 -55°C 和 175°C 之間
?針對(duì)同步整流進(jìn)行了優(yōu)化
?輸出電容降低高達(dá) 44%
? RDS （接通）降低多達(dá) 44%
?極低接通電阻 RDS （接通）

應(yīng)用

?適配器
?輕型電動(dòng)車
?低電壓驅(qū)動(dòng)
?服務(wù)器電源
? 太陽能
? 電信

認(rèn)證

? ANSI/ESD S20.20 ： 2014
? BS EN 61340-5-1 ： 2007
? IEC61249 - 2-21
? JEDEC