此 450V 增強模式 P 溝道 MOSFET 為用戶提供具有競爭力的規格，可提供高效的功率處理能力、高阻抗，并且可避免熱耗散和熱感應次級擊穿。受益于此器件的應用包括各種電信和一般高電壓切換電路。
低柵極驅動
低輸入電容
快速切換速度
完全無鉛
無鹵素和無銻。“綠色”設備
應用
負載切換
不間斷電源
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 0.4（狀態）A，0.6（穩定）A |
| 最大漏源電壓 | 450 V |
| 封裝類型 | SOT-223 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 + Tab |
| 最大漏源電阻值 | 21 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 5V |
| 最小柵閾值電壓 | 3V |
| 最大功率耗散 | 12.5 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±30 V |
| 長度 | 6.55mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 3.55mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 4.2 nC @ 10V |
