Taiwan Semiconductor 60V ， 8A ， 3 引腳， N 通道功率 MOSFET 具有單晶體管配置和增強通道模式。它通常用于高側直流 / 直流轉換，筆記本電腦，服務器應用。
先進的溝道工藝技術
高密度電池設計，提供超低接通電阻
符合 RoHS
工作溫度范圍 -55 °C 至 +150 °C
最大功耗 2.5W
柵極閾值電壓范圍介于 1V-3V 之間
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 8 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | SOP |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 43 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3V |
| 最小柵閾值電壓 | 1V |
| 最大功率耗散 | 2.5 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 4mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 10.5 nC @ 4.5 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 長度 | 5mm |
