the Infineon ex場 功率 mosfet 采用雙 so-8 封裝，利用最新工藝技術，可在每個硅片區域實現極低的接通電阻。這些 hex場 功率 mosfet 的其他特點包括 175°c 結點工作溫度、快速切換速度和改進的重復雪崩額定值。這些優勢相結合、使此設計成為極其高效和可靠的設備、適用于各種其他應用。so-8 封裝的額定溫度為 175°c 、可提供更高的熱性能和更安全的工作區域、雙 mosfet 模具能力使其特別適用于各種電源應用。此雙路表面安裝 so-8 可顯著減少板空間、還提供帶裝和卷裝。
先進的工藝技術
雙 N 溝道 MOSFET
超低接通電阻
175°C 工作溫度
重復雪崩允許高達 Tjmax
無鉛
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續漏極電流 | 5.1 A |
| 最大漏源電壓 | 55 V |
| 封裝類型 | SO-8 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 最大漏源電阻值 | 65 個月 |
| 最大柵閾值電壓 | 1V |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
