the Infineon ex場 功率 mosfet 采用 direct場 效應管（ mz ）封裝，具有 80V 的最大漏極源電壓，額定電流為 55 安培，經優化具有低接通電阻。IRF6668PbF 將最新的 hex場 ? 功率 mosfet 硅技術與先進 Advanced ? 封裝技術相結合，以實現最低的導通電阻，封裝尺寸僅為 so-8 和 0.7 mm 。direct場 封裝與電源應用、印刷電路板裝配設備和汽相、紅外或對流焊接技術中使用的現有布局幾何結構兼容。對于制造方法和工藝、請遵循應用說明 a-1035 。directet 封裝允許雙面冷卻、以最大程度地提高電源系統中的熱傳輸、將以前最佳的熱阻提高 80% 。
無鉛（最高 260°c 回流）
特別適用于高性能隔離轉換器主開關插座
經優化可用于同步整流
低傳導損耗
高 cdv/dt 抗擾性
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 55 A |
| 最大漏源電壓 | 80 V |
| 封裝類型 | Direct東帝汶 信托基金 (m) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 7 |
| 最大漏源電阻值 | 0.015. Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.9V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
