Infineon AIMW120R080M1XKSA1 MOSFET
產品詳細信息
用于汽車系列的 Infineon CoolSiC MOSFET 專為混合動力和電動車輛中的當前和未來板載充電器和直流 - 直流應用而開發。它具有 33 A 漏極電流。
提高效率
啟用更高頻率
功率密度增加
降低冷卻力
| 屬性 |
數值 |
| 通道類型 |
N |
| 最大連續漏極電流 |
34 A |
| 最大漏源電壓 |
1200 V |
| 封裝類型 |
PG-TO247-3-41 |
| 安裝類型 |
通孔 |
| 引腳數目 |
3 |
| 最大漏源電阻值 |
0.08 Ω |
| 通道模式 |
增強 |
| 最大柵閾值電壓 |
4.5V |
| 晶體管材料 |
SiC |
| 每片芯片元件數目 |
1 |
