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Infineon BSM200GA120DN2HOSA1 IGBT

訂貨號(hào)：BSM200GA120DN2HOSA1 品牌：英飛凌_Infineon

庫(kù)存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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IGBT 模塊，Infineon

Infineon 系列 IGBT 模塊提供低切換損耗，用于高達(dá) 60 khz 頻率的切換。
IGBT 跨一系列電源模塊，如 ECONOPACK 封裝，1200V 時(shí)帶集電極開(kāi)路發(fā)射器電壓；PrimePACK IGBT 半橋斬波器模塊，其 NTC 高達(dá) 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工業(yè)、商業(yè)、建筑和農(nóng)業(yè)車輛中找到。 N 通道 TRENCHSTOP ^TM 和 Fieldstop IGBT 模塊適用于硬切換和軟切換應(yīng)用，例如反相器、UPS 和工業(yè)驅(qū)動(dòng)器。

封裝類型包括：62mm 模塊、EasyPACK、EconoPACK^TM2/EconoPACK^TM3/EconoPACK^TM4

IGBT 分立件和模塊，Infineon

絕緣柵級(jí)雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備，以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過(guò)將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開(kāi)關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個(gè)設(shè)備中，將 MOSFET 的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。

屬性	數(shù)值
最大連續(xù)集電極電流	300 A
最大集電極-發(fā)射極電壓	1200 V
最大柵極發(fā)射極電壓	±20V
最大功率耗散	1550 W
封裝類型	62MM 模塊
配置	單
安裝類型	面板安裝
通道類型	N
引腳數(shù)目	5
晶體管配置	單
尺寸	106.4 x 61.4 x 36.5mm

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