ON Semiconductor 三級 NPC Q2 封裝模塊是高密度集成電源模塊，結合了高性能 IGBT 和堅固的反并聯二極管。
極為高效的溝道，采用場截止技術
低切換損耗可減少系統功耗
模塊設計提供高功率密度
低電感布局
低封裝高度
這些設備無鉛，無鹵，無 BFR 且符合 RoHS 標準
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 409 A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 1000 V |
| 最大柵極發射極電壓 | ±20V |
| 最大功率耗散 | 959 W |
| 晶體管數 | 4 |
| 封裝類型 | 93x47 (焊接引腳) (無鉛 / 無鹵化物) ， PIM44 |
