為了響應在更小、節省空間的封裝內容納不斷增加的硅數量的市場要求，Infineon 推出 1200V IGBT 的全新封裝 TO-247PLUS。更高的電流容量，更佳的熱行為。TO-247PLUS 具有與工業標準 TO-247 相同的外部尺寸，但由于不存在螺釘孔，所以在與全額 75A 二極管一起封裝的 1200V 中允許高達 75A 電流。
高功率密度 - 高達 75 A 1200 V IGBT 與 75 A 二極管一起封裝在 TO-247 封裝中
與 TO-247 3 引腳相比，R th(jh) 降低 20%
擴展的集電極-發射極引腳爬電距離 4.25 mm
擴展的夾爬電距離（由于該封裝的全包式前面）
更高的系統功率密度 - I C 增加，保持相同的系統熱性能
與 TO-247 相比，TO-247PLUS 的熱阻 R th(jh) 較低，散熱能力提高約 15%
更高的可靠性，延長器件的使用壽命
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 40 A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 1200 V |
| 最大柵極發射極電壓 | ±30V |
| 晶體管數 | 1 |
| 最大功率耗散 | 500 W |
| 封裝類型 | TO-247 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 通道類型 | P |
| 引腳數目 | 3 |
| 開關速度 | 20kHz |
| 晶體管配置 | 單 |
| 尺寸 | 15.9 x 5.1 x 21.1mm |
