這款意法半導體產品為采用先進的專有場截止型溝槽柵結構開發的 IGBT。此設備屬于 M 系列 IGBT，對于極為需要低損耗和短路功能的逆變器系統，在性能和效率之間取得最佳平衡。此外，VCE(sat) 溫度系數為正且參數分布緊密，可讓并聯操作更安全。
最大接點溫度 175 °C
短路耐受時間 10 μs
VCEsat 參數低
參數分布緊密
VCEsat 溫度系數為正
低熱阻
反并聯軟快恢復二極管
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 100 A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 1200 V |
| 最大柵極發射極電壓 | 20V |
| 晶體管數 | 1 |
| 最大功率耗散 | 535 W |
| 配置 | 單 |
| 封裝類型 | Max247 |
