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JEDEC加強對華聯(lián)系,UFS、LPDDR2、低壓低功耗DDR3成為年度會議主要議題

發(fā)布日期:2022-07-14 點擊率:88

事會主席Mian Quddus近日表示,在公布了DDR3(JESD 79-3A)規(guī)格之后,由他領(lǐng)導的這家半導體標準化組織正在開始DDR3低功率版本的研究以及考慮對DDR3進行加速和升級。Quddus還透露,JEDEC正在致力于下一代主流存儲器技術(shù)的研究,具體工作將于2012年開始啟動。


Quddus是在上海舉行的JEDEC年度例會中舉行的記者招待會上透露上述信息的。盡管JEDEC已經(jīng)在中國舉行了五次會議,但對媒體開放卻還是頭一次。JEDEC的前身是成立于1924年的無線電生產(chǎn)商協(xié)會,下屬50個委員會,目前在全球擁有3,000多名企業(yè)會員。這家擁有80多年歷史的半導體標準組織從2002年開始尋求同中國標準化組織的緊密聯(lián)系,并在過去5年里同中國電子標準研究所(CESI)和中國半導體行業(yè)協(xié)會(CSIA)等本地標準化組織舉行了多次會晤。據(jù)稱,在其現(xiàn)有會員中,近20%來自于中國。


毫無疑問,拉近同中國的關(guān)系將符合JEDEC的長遠利益。由于其本身的目的就是團結(jié)終端制造商和器件供應商一同創(chuàng)建可普遍接受的開放式標準化產(chǎn)品,而中國不僅已經(jīng)擁有全球最大的半導體器件消費市場,同時其在IC設(shè)計以及晶圓代工、封測行業(yè)等方面的能力都在穩(wěn)步提升,假以時日,這些大量涌現(xiàn)和云集的本土終端制造商和器件供應商在全球半導體行業(yè)的影響力將日益加強。因此能否將他們團結(jié)在旗下就顯得至關(guān)重要。


與此同時,在經(jīng)過長時間的學習之后,中國已經(jīng)開始意識到標準的重要性。除了制訂自有的標準之外,中國的行業(yè)組織和一些企業(yè)也在試圖走出國門參與國際標準的制訂。同JEDEC的合作將能令他們更快的找到問題的解決之道——而這正是JEDEC的籌碼,JEDEC JC42.4閃存器件委員會副主席、內(nèi)存/DIMM測試儀供應商CST總裁Cecil Ho在會上表示:“JEDEC在標準制訂和推廣上擁有非常深厚的經(jīng)驗,同時也積累了許多專利解決的辦法。我們的目標是希望有更多的中國企業(yè)加入到這個組織來,從而幫助中國標準和中國企業(yè)進入全球市場。”


此次會議的議題幾乎涵蓋了各種潛在應用中的可能用到的各種類型的存儲器件。來自業(yè)界各家公司的委員們在為期五天的會議中就JC-16 (連接界面技術(shù),如SSTL1.8,SSTL1.5等)、JC-40(數(shù)字邏輯標準,如數(shù)字邏輯系列、時鐘脈沖驅(qū)動器和PLL以及包括寄存器、高級內(nèi)存緩沖器在內(nèi)的模組支持邏輯)、JC-42(SRAM、非易失性存儲器、低功耗內(nèi)存以及DDRx、GDDRx、下一代DRAM工作組、移動低功耗等內(nèi)存器件標準)、JC-45(RDIMM、UDIMM、SODIMM、MiniDIMM、FBDIMM以及DIMM連接器電氣規(guī)格)、JC-63(MCP標準)、JC-64(閃存卡與模塊標準)等多個同存儲有關(guān)的標準進行了討論。




首先被討論的是快速閃存(UFS)和固態(tài)硬盤(SSD)標準。由于號稱能夠支持包括RAM、FeRAM、MRAM等在內(nèi)的任何非易失性存儲器,從而打破市場上閃存卡種類繁多卻又不能通用的局面,自諾基亞、美光、三星、索愛、ST、TI以及Spansion公司合作制訂UFS標準的消息披露之后,業(yè)界對預定明年出爐的UFS標準投入了巨大關(guān)注。Sun微系統(tǒng)公司存儲技術(shù)部門的高級工程經(jīng)理Clement Fang透露,JEDEC在本次會議開幕當天的討論中取得了一定的進展。“我們將很快會在UFS和SSD上的達成一項新的進展。”他說,“在接下來6月瑞典舉行的會議上,我們將會同Nokia進行進一步的溝通。”Fang目前擔任著JEDEC JC42.3 DRAM器件委員會副主席一職,同時也是JEDEC董事會成員之一。


UFS已經(jīng)成為JC-64委員會的主要新任務之一。“JC-64 UFS任務組的職責是定義具有革命性的性能和可擴展性的嵌入式和便攜式NVM器件標準,并遠遠超過現(xiàn)有的閃存存儲卡/模塊標準。”Mian Quddus表示,“UFS的應用范圍將相當廣泛,包括手機、數(shù)字成像、消費電子和個人電腦等各種便攜式以及非便攜式產(chǎn)品。”就目前來看,UFS的目標確實遠大。Quddus出具的數(shù)字顯示,其高速界面能夠支持2GB/s的數(shù)據(jù)處理速度。此外,這種新器件還將具有低功耗、低電壓、低EMI以及低引腳數(shù)等特點。


JEDEC已經(jīng)將嵌入式MMC(eMMC)卡納入其MMCA規(guī)格,據(jù)稱,目前幾乎所有的手機和導航裝置制造商都采用了這種存儲介質(zhì)。除了支持ST和東芝的eMMC之外,MMCA還兼容三星公司的moviNAND和美光的Managed NAND。MMCA已經(jīng)演變到了V4.3版本。Quddus介紹,新版本不僅能夠支持上電啟動,還增加了睡眠控制模式和更可靠的數(shù)據(jù)寫入功能。


重新定義DDR3 SDRAM以及其所有模組和支持邏輯所需的相關(guān)標準也是此次會議的關(guān)鍵議題。DDR3的多密度配置衍生出了多個不同的SDRAM產(chǎn)品,包括面向臺式機的非緩沖性UDIMM、面向筆記本電腦的SODIMM以及面向服務器的RDIMM,這些都在被討論之列。JEDEC JC-45.2非緩沖存儲器模組委員會與非緩沖DIMM工作組主席、奇夢達北美公司的市場應用經(jīng)理David Chan就介紹了FB-DIMM、RDIMM、UDIMM、SODIMM、MiniDIMM以及MicroDIMM標準的相關(guān)參數(shù)。


大密度與低電壓DDR3也是重要的話題之一,特別是后者。“由于擁有高效、低功耗以及低引線數(shù)等優(yōu)點,LPDDR2正在手機中獲得大量應用。”Spansion公司資深技術(shù)人員、JEDEC移動存儲(JC42.6)委員會主席Roger Isaac介紹了低功耗提案的相關(guān)信息。他稱,LPDRR2的主要優(yōu)勢包括三點:首先,SDRAM和NVM都采用了電壓的I/O口;其次,它取消了DLL,并能夠支持高達1,066Mbps的數(shù)據(jù)操作;最后,其12引腳的協(xié)議還能夠廣泛支持64MB~8GB的SDRAM和64MB~32GB的NVM。“在經(jīng)過近兩年半的技術(shù)討論和不懈努力之后,我們計劃將在2008年第二個季度發(fā)表LPDDR2的全套規(guī)范。”Isaac透露,“LPDRR2的標準顆粒將在今年下半年與工程師見面。”


作者:王彥



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