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通信應(yīng)用對(duì)SRAM的強(qiáng)勁需求以及向高利潤(rùn)產(chǎn)品的轉(zhuǎn)移推動(dòng)著SRAM價(jià)格上揚(yáng)

價(jià)格可能是今天SRAM市場(chǎng)的最大問題。通信應(yīng)用對(duì)SRAM的需要越來越大,加上半導(dǎo)體供應(yīng)商正將其產(chǎn)品系列轉(zhuǎn)向更有利可圖的存儲(chǔ)器產(chǎn)品,使得價(jià)格不斷上升,并延長(zhǎng)了交貨時(shí)間。

“1999年第四季度,SRAM制造商將其價(jià)格平均提高了10%,至少在2000年的整個(gè)上半年仍將保持這一高價(jià)格,” Semico調(diào)研公司分析家Sherry Garber說。

SRAM的平均銷售價(jià)格(ASP)從去年第一季度的美元上升到第四季度的美元。Semico預(yù)計(jì)ASP在2000年將達(dá)到美元。

根據(jù)制造商的說法,交貨周期平均為14至16個(gè)星期。

Integrated Device Technology公司市場(chǎng)副總裁Dave Cote說:“對(duì)高性能標(biāo)準(zhǔn)及通信存儲(chǔ)器的需求早已超過人們對(duì)這一市場(chǎng)回彈速度的關(guān)心。”不斷提升的價(jià)格將帶來極大的收益及強(qiáng)勁的增長(zhǎng)。1999年,世界范圍的SRAM市場(chǎng)為47億美元及11.9億個(gè)SRAM。盡管2000年的銷售量將下降5.9%,約為112萬個(gè),其收入仍將上升39.4%,達(dá)到63億美元。通信市場(chǎng)希望其增長(zhǎng)速度更快,達(dá)到SRAM銷售的59.1%。

領(lǐng)先的SRAM供應(yīng)商目錄

Cypress Semiconductor Corp.

3901 N. First St.

San Jose, Calif. 95134

(408) 943-2600, (800) 858-1818

發(fā)展

Cypress用了去年整整一年的時(shí)間以SRAM供應(yīng)商的身份在蜂窩電話市場(chǎng)占據(jù)一席之地。“1998年Cypress還未進(jìn)入蜂窩電話市場(chǎng),1999年我們就銷售了大約300萬部電話,”營(yíng)銷部副總裁Dan McCranie說,“2000年,我們最少將賣出1千萬部電話。我們?cè)陂_發(fā)中結(jié)合了蜂窩設(shè)計(jì)及芯片結(jié)構(gòu),為蜂窩電話構(gòu)建高速、低功率的SRAM。”該公司現(xiàn)已提供其MoBL系列的1-、2-,和 4MSRAM產(chǎn)品。

在1999年下半年,該公司開始在其位于Bloomington的晶圓廠生產(chǎn)8英寸、0.5μm產(chǎn)品,該工廠將于今年第三季度投入生產(chǎn)。Cypress在菲律賓新建了一條測(cè)試及組裝生產(chǎn)線,每季度可加工450萬個(gè)FBGA封裝器件。

計(jì)劃

今年下半年,Cypress將推出其MoBL系列的8Mb和16Mb微功率SRAM。該公司還將進(jìn)入雙數(shù)據(jù)速率(DDR)SRAM領(lǐng)域。McCranie說“我們正在制訂32Mb部件的計(jì)劃,當(dāng)我們達(dá)到μm的工藝技術(shù)后,還將制造64Mb部件。”

Hitachi Semiconductor (America) Inc.

179 E. Tasman Dr.

San Jose, Calif. 95134

(800) 285-1601

發(fā)展

雖然Hitachi繼續(xù)支持慢速SRAM市場(chǎng),但其產(chǎn)品大多是高速SRAM。去年,該公司聲稱推出了一種能夠在500MHz速率下工作的SRAM,其抵抗宇宙射線誘導(dǎo)軟錯(cuò)誤的能力提高了100倍,這種錯(cuò)誤是移動(dòng)電腦用戶乘坐飛機(jī)時(shí)碰到的最頭痛的問題。

這種新技術(shù)還采用了shallow triple-well結(jié)構(gòu)和一種堆棧存儲(chǔ)器單元機(jī)構(gòu)。

該公司還開始建造一個(gè)12英寸、μm晶圓加工廠。新工廠是臺(tái)灣UMC與Hitachi的合資企業(yè),將于2001年下半年投入生產(chǎn)。

計(jì)劃

今年年底,Hitachi將為低功率及低電壓應(yīng)用提供8Mb SRAM,還將提供8Mb和18Mb同步SRAM。最后,該公司還將推出具有333和500MHz工作周期的1Mb至9Mb SRAM,以支持較大的Level 2和Level 3 cache應(yīng)用。

IBM Corp.

Microelectronics Division

1580 Rte. 52

Hopewell Junction, N.Y. 12533

(914) 894-2121

發(fā)展

IBM在1999年繼續(xù)推動(dòng)著性能的提高。IBM提供具有雙倍和單數(shù)據(jù)性能的1-、4-和8Mb高速SRAM。

“我們不斷推動(dòng)性能的提高,但我們的用戶要求更多,” SRAM應(yīng)用及市場(chǎng)經(jīng)理Roger Verhelst說,“過去一年來,向DDR功能的轉(zhuǎn)移過程雖然緩慢,但很穩(wěn)定。”

1999年2月,IBM推出了帶DDR功能的8Mb SRAM。這些器件速度可達(dá)600MHz。

IBM的高端策略帶來了收益。“對(duì)我們的客戶來說,1999年是令人興奮的,這在很大程度上要?dú)w因于Internet基礎(chǔ)設(shè)施的銷售,”Verhelst說,“今年到現(xiàn)在為止,這一發(fā)展趨勢(shì)仍在繼續(xù),所以我們估計(jì)2000年仍將有很好的銷售成績(jī)。”

計(jì)劃

未來一年將繼續(xù)發(fā)展IBM的產(chǎn)品系列。“我們希望繼續(xù)活動(dòng)于SRAM舞臺(tái),向用戶提供更高的密度和更高的性能,以滿足用戶需求,” Verhelst說,“我們將在三到五年內(nèi)向不同的高速緩存功能轉(zhuǎn)移,它不是基于SRAM。”

Integrated Device Technology Inc.

2975 Stender Way

Santa Clara, Calif. 95054

(408) 492-8671, (800) 345-7015

發(fā)展

過去一年來,IDT將重點(diǎn)放在通信市場(chǎng)。市場(chǎng)副總裁Dave Cote說:“我們確實(shí)將重點(diǎn)放在通信市場(chǎng),并且努力制造更多通信專用產(chǎn)品。”今年8月,IDT推出了與Micron Technology合作開發(fā)的Zero Bus Turnaround結(jié)構(gòu),適于路由器及交換機(jī)應(yīng)用。

目前,該公司提供4Mb至9Mb的產(chǎn)品。

該公司還與Cypress和Micron合作制訂了四倍數(shù)據(jù)速率SRAM規(guī)范。現(xiàn)已提供樣品。

計(jì)劃

IDT將努力提高其首個(gè)四倍數(shù)據(jù)速率SRAM??512-K ?18器件的產(chǎn)量。該公司稱,這些產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)333-MHz的性能。該器件最終將用于下一代交換機(jī)和路由器,它們?cè)跀?shù)據(jù)速率高于200 MHz的條件下工作。

Mitsubishi Electronics America Inc.

Electronic Device Group

1050 E. Arques Ave.

Sunnyvale, Calif. 94086

(408) 730-5900

發(fā)展

今年,Mitsubishi的電子器件部推出了兩種產(chǎn)品,它們?cè)诳蛇M(jìn)行表面貼裝的堆棧式芯片級(jí)封裝中結(jié)合了該公司的BGO DINOR閃速存儲(chǔ)器和低功率SRAM (LPSRAM)。該公司稱,這種產(chǎn)品將16Mb閃速存儲(chǔ)器與4或2Mb LPSRAM結(jié)合起來,以滿足手機(jī)及GPS市場(chǎng)的需求。

Mitsubishi可批量提供16和32Mb SRAM。另外,該公司也為蜂窩電話生產(chǎn)2、4和8Mb低功率SRAM。

計(jì)劃

在未來一年中,Mitsubishi的電子器件部將增加其16Mb SRAM的生產(chǎn),預(yù)計(jì)月產(chǎn)量將達(dá)1,000萬件。該公司還將提供多種選擇以滿足容量需求。

“我們面臨的最大挑戰(zhàn)是提高容量以滿足市場(chǎng)期望,”存儲(chǔ)部門的助理副總裁Narayan Purohit說,“由于容量問題變得越來越重要,我們必須考慮能夠得到的各種選擇方案。”

Motorola Inc.

Semiconductor Products Sector

5005 E. McDowell Road

Phoenix, Ariz. 85008

(602) 244-7346

發(fā)展

1999年3月,Motorola宣布推出超快SRAM,它采用銅互連技術(shù)來獲得超低功耗。這種超快8Mb Late Write SRAM將銅互連技術(shù)與μm CMOS技術(shù)相結(jié)合起來,提供優(yōu)于333MHz的性能。Motorola FSRAM零件編號(hào)為MCM63R836FC,可提供Level 2 cache性能,功耗卻比以前的BiCMOS FSRAM低50%至75%。1999年第二季度,該公司還推出了兩種HiPerMOS產(chǎn)品??4Mb Late Write SRAM和8Mb雙倍數(shù)據(jù)速率元件。

Motorola還提供同步SRAM(包括集成cache)和異步SRAM(如BurstRAM)、根據(jù)內(nèi)容尋址(content-addressable)的存儲(chǔ)器、雙端口存儲(chǔ)器、FSRAM和Tag RAM。

計(jì)劃:無

NEC Electronics Inc.

2880 Scott Blvd.

Santa Clara, Calif. 95050

(408) 588-6000

計(jì)劃

NEC聲稱可提供各種管道和burst SRAM,能夠滿足多種價(jià)格及性能的應(yīng)用。今年,該公司與業(yè)界其它幾個(gè)主要的制造商合作開發(fā)出了用于SRAM和NOR閃速存儲(chǔ)器產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)堆棧多芯片封裝(MCP)。MCP支持從4至128Mb的NOR閃速存儲(chǔ)器和從1至128Mb的SRAM。

計(jì)劃

NEC Electronics將繼續(xù)集中于針對(duì)PC-cache應(yīng)用的SRAM,同時(shí)計(jì)劃擴(kuò)展到其它市場(chǎng)領(lǐng)域。它將推出用于網(wǎng)絡(luò)互連的電信4Mb和8Mb標(biāo)準(zhǔn)同步SRAM。NEC還計(jì)劃推出適于移動(dòng)市場(chǎng)的4Mb低功率SRAM。

Samsung Semiconductor Inc.

3655 N. First St.

San Jose, Calif. 95134-1713

(408) 544-4124

發(fā)展

Samsung稱,在過去幾個(gè)月里,它已開始減少在PC-cache市場(chǎng)的投入,而轉(zhuǎn)向電信及網(wǎng)絡(luò)市場(chǎng)。該公司推出了用于移動(dòng)市場(chǎng)、工作于電壓的4Mb和8Mb SRAM。Samsung宣布還將為網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用推出一系列頻率為600MHz的新型高速DDR同步SRAM。該公司說,它們已從舊的DRAM加工廠轉(zhuǎn)移,提高了SRAM加工廠的生產(chǎn)能力。

計(jì)劃

Samsung稱將繼續(xù)推出用于工作站及服務(wù)器的Level 3 SRAM。

Toshiba America Electronic Components Inc.

9775 Toledo Way

Irvine, Calif. 92618

(949) 455-2000

發(fā)展

2000年3月,Toshiba宣布推出低功率8Mb SRAM及采用堆棧多芯片封裝的8/64Mb NOR閃速存儲(chǔ)器件。高速SRAM產(chǎn)品部業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理Paul Liu 說:“隨著性能的提高,密度肯定會(huì)越來越高。”

“這一市場(chǎng)過去一直面向cache應(yīng)用,但今天卻將其50%放在網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用,因?yàn)榫W(wǎng)絡(luò)應(yīng)用潛力無限。”去年夏天,該公司稱可提供16Mb異步高速SRAM的樣品,它有三種速度和4種配置的版本。Toshiba已開始提供用于高速網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的9Mb同步SRAM??NtRAM的樣口。

計(jì)劃

該公司稱,在未來的幾個(gè)月里,其目標(biāo)是為網(wǎng)絡(luò)及高速cache應(yīng)用開發(fā)新產(chǎn)品。

Winbond Electronics Corp. America

2727 N. First St.

San Jose, Calif. 955134

(408) 943-6666

發(fā)展

Winbond可為PC、磁盤驅(qū)動(dòng)器、調(diào)制解調(diào)器、游戲、數(shù)據(jù)銀行和掃描儀、以及傳真機(jī)/打印機(jī)應(yīng)用提供高速、低功率SRAM。

計(jì)劃

為了滿足用戶的應(yīng)用需求,該公司將提供密度更高、工作電壓更低并具有超低功耗的SRAM,以延長(zhǎng)電池壽命。新的SRAM還要滿足通信市場(chǎng)的要求,即具有更高的容量和更高的速度,該產(chǎn)品包括速度為133MHz和200MHz的4MHz、8MHz和16MHz SRAM。