發布日期：2022-07-15 點擊率：54
臺灣地區的新興閃存制造商力旺電子(eMemory Technology)憑借一種嵌入式非易失性存儲器技術,迅速贏得晶圓代工廠、DRAM制造商和集成器件制造商(IDM)的青睞,該公司表示,此存儲器比ROM、EPROM或閃存更便宜、更靈活且更易于擴展。
這家位于新竹的公司已經將其Neobit知識產權(IP)授權給特許半導體、力晶半導體(其主要投資人之一)、Renesas Technology和臺積電。該公司正在與其它幾家芯片制造商進行洽談,預計不久將獲得更多的授權合約。
這些公司都對這種看上去新穎的單元結構非常感興趣,該結構具有EPROM(一般用于存儲程序數據代碼)的特性,但它采用一種簡單的邏輯工藝,更易于在不同的晶圓廠之間運用。
Neobit瞄準的目標應用是微控制器、RFID芯片和IC智能卡。eMemory還致力于使Neobit成為CMOS影像器中損壞畫素的一種修復機制,或者充當普通存儲器的一種備用保險絲電路。
盡管Neobit具有EPROM的功能,但eMemory竭力避免與這種廣泛應用的嵌入式存儲器相提并論。“當你提到EPROM時,人們會想到這是個非常復雜和昂貴的工藝,”該公司總經理徐清祥表示,“EPROM技術很難在不同代的工藝、不同的晶圓廠之間,或者從一種技術到一種衍生技術之間進行移植。”
Neobit是一種可以直接使用的技術,它能在模擬、混合模式或高壓工藝中實現。“給我任何你目前采用的技術,我們都能把它設計進去,”徐清祥說。
該公司從兩年前開始研發該技術,并且于2002年夏季同Renesas一起完成了早期的設計投片。這家日本的MCU巨頭在一個采用Neobit結構的產品上節省了九個掩膜層。徐清祥同時表示,該公司目前也正與特許半導體密切合作。
如果Neobit能兌現它的諾言,那么對于用和微米工藝制造的16和32位微控制器而言,其產品將是更簡單的解決方案。目前,臺積電和特許正在微米工藝上驗證該技術。
與ROM不同,該存儲器的編程靈活性允許在工藝處理之前或之后進行編碼,這將使MCU制造商在控制存貨時有更大的自由。徐清祥估計,Neobit工藝開發將僅僅比邏輯工藝開發落后3至6個月,很接近ROM但遠快于EPROM或閃存。“我們的目標是使之成為一項工業標準。在8寸晶圓以及微米以上的技術中,我們將讓EPROM不復存在,”他說。
盡管該單元是一次性編程的,但可以添加冗余模塊以實現多次可編程陣列。即使加上了這些模塊,其面積一般也比E2PROM單元小。在微米工藝中其面積為5平方微米,而E2PROM單元的是15平方微米。徐清祥表示,微米工藝中Neobit的編程電壓為6至6.5伏,而E2PROM大約是10伏。
該公司正在不動聲色地推出一款名為Neoflash的后續產品,瞄準的是低密度嵌入式閃存應用,如DVD基帶芯片,在這些應用中用于存儲程序代碼的板上閃存仍然太貴。EMemory將為NeoFlash架構申請專利,并承諾約六個月后提供細節。總體來說,該公司將會在Neobit結構上增加一個刪除電路,但仍將避免使之成為一種會讓邏輯工藝復雜化的高壓器件。“如果我們的Neoflash取得成功,它將是一種革命性的技術,因為你可以采用邏輯工藝來嵌入閃存,”徐清祥表示。
作者:柏萬寧
