出于質(zhì)保原因，希望能夠?qū)μ囟ǖ氖录M行計數(shù)，例如上電次數(shù)、工作時間、硬(按鈕)復(fù)位和超時。盡管數(shù)字計數(shù)器很容易搭建，但使其做到非易失、不可復(fù)位并非輕而易舉。本文介紹如何利用常見串行EEPROM的EPROM仿真模式及編碼機制解決這一問題。
設(shè)計目標
有些應(yīng)用中，考慮到質(zhì)保期的要求，希望能夠?qū)μ囟ǖ氖录M行計數(shù)和記錄，例如上電次數(shù)、工作時間、硬(按鈕)復(fù)位和超時。傳統(tǒng)的電子計數(shù)器通常由雙穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器組成，采用二進制編碼，如圖1所示。當全部觸發(fā)器復(fù)位時，則達到最大計數(shù)值，計數(shù)器規(guī)模由核查期限內(nèi)允許發(fā)生某些事件的最大次數(shù)決定。
圖1.二進制碼中，下一位比上一位位值翻倍。
定位需求
盡管基于觸發(fā)器的計數(shù)器很容易搭建，但它存在一個缺點。當達到計數(shù)限值時，計數(shù)器反轉(zhuǎn)為零(自動復(fù)位)。工作狀態(tài)也是易失的——需要電源維持其計數(shù)狀態(tài)。第一個問題可通過達到限值時凍結(jié)計數(shù)器解決；也可以通過安裝電池維持計數(shù)器的供電，從而解決第二個問題。但這些措施在實際應(yīng)用中可能無法接受，因為增加了成本，且工作時間有限。
一種替代方案是：將計數(shù)值備份在EEPROM或其它形式的非易失(NV)存儲器中。下次上電時，將該NV存儲器中儲存的數(shù)值加載到計數(shù)器。然而，除非NV存儲器嵌入另一個芯片，例如微控制器或FPGA，否則存儲器內(nèi)容并不安全，因為存儲器芯片很容易拆除、重新編程(復(fù)位)，然后重新安裝到電路板上。因此，這種方法不滿足不可復(fù)位的要求。
傳統(tǒng)設(shè)計
EPROM是另一種不需要電池的非易失存儲器。EPROM在上世紀70年代隨著微處理器的出現(xiàn)得到廣泛使用。出廠時，EPROM的全部字節(jié)為FFh。通過將某一位從1(擦除)置為0(編程)來儲存數(shù)據(jù)；編程需要12V至13V脈沖電壓。加載新數(shù)據(jù)之前，必須用高強度紫外線通過封裝上的窗口照射芯片，從而擦除整個存儲器。一次性編程(OTP)EPROM器件沒有窗口，因此不可擦除。由于這些不便之處，EPROM的主導(dǎo)地位逐漸被EEPROM和高密度閃存所取代，后兩者的工作和編程電壓為5V或更低。雖然如此，將OTPEPROM一次可編程(1至0)及不可擦除的特點與現(xiàn)代EEPROM技術(shù)相結(jié)合，能夠得到EPROM仿真模式的新特性。EPROM仿真模式是實現(xiàn)非易失、不可復(fù)位計數(shù)器的關(guān)鍵技術(shù)。
EPROM仿真模式
串口EEPROM的一個常用功能是充當寫入頁的緩存器，能夠一次編程整個存儲器頁。收到寫命令時，系統(tǒng)自動裝載包含尋址存儲器數(shù)據(jù)的頁緩存器內(nèi)容。對于EPROM仿真模式，按照移位寄存器寫緩存器(圖2)。輸入新數(shù)據(jù)(D-IN)送到一個“與”門，在進入緩存器(S-IN)之前將其與緩存器數(shù)據(jù)(S-OUT)相組合。因此，“與”門確保存儲器位在置為0后不會變?yōu)?。經(jīng)過一個完整的頁操作周期后，緩存器的數(shù)據(jù)再次與存儲器頁中的數(shù)據(jù)對齊。隨后可以開始一個寫周期，將整個緩存器內(nèi)容復(fù)制到非易失EEPROM。
圖2.EPROM仿真將新數(shù)據(jù)與已有數(shù)據(jù)位相“與”，寫回到存儲器。
EPROM計數(shù)
由于EPROM位只能在一個方向改變，不支持傳統(tǒng)的計數(shù)器設(shè)計思路，而是將整個存儲器陣列視為一個n位的單體。初始狀態(tài)下，n位存儲單元均未編程(為1)。為了對事件計數(shù)，必須將未編程的位更改為0?？梢院唵蔚仉S機選擇下一個編程位，但圖3所示方法更容易實現(xiàn)。該方法從最低有效位開始依次計數(shù)，直到對一個字節(jié)的所有位進行編程。然后再逐位編程下一個字節(jié)，依此循環(huán)。EPROM仿真模式下，1024位存儲器芯片可以對1024個事件計數(shù)。
圖3.EPROM計數(shù)要求對每一位設(shè)置相同值。
支持EPROM仿真模式的芯片
盡管EPROM仿真模式容易實現(xiàn)，但在本文發(fā)表時只有Maxim提供此類產(chǎn)品，提供存儲容量為1Kb(DS2431、DS28CN01和DS28E01)和20Kb(DS28EC20)的存儲器件，所有這些芯片都帶有唯一序列號。除DS2431和DS28EC20外，具有EPROM仿真模式的產(chǎn)品均為安全存儲器；只有產(chǎn)生器件密鑰信息認證碼的主控制器才擁有寫權(quán)限。
流程圖
以DS2431存儲器芯片為例說明，將其存儲器頁0配置為在EPROM仿真模式下實現(xiàn)256位計數(shù)。采用64位中間結(jié)果存儲器作為中間存儲器，能夠以8字節(jié)數(shù)據(jù)塊更新32字節(jié)頁。圖4所示算法檢測第一個具有未編程位的數(shù)據(jù)塊，遞增計數(shù)值，然后將數(shù)據(jù)塊寫回EEPROM。
圖4.該算法遞增32字節(jié)存儲器頁的計數(shù)器。
結(jié)論
具有EPROM仿真模式的EEPROM是實現(xiàn)非易失、不可復(fù)位計數(shù)器的首選產(chǎn)品。存儲器芯片的序列號可以用來檢測篡改操作——即用較低計數(shù)值的芯片代替合法存儲器芯片的動作。為防止未經(jīng)授權(quán)增大計數(shù)值，應(yīng)采用需要消息認證碼才允許寫操作的安全存儲器。
