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太陽電池基本知識(shí)

發(fā)布日期:2022-04-17 點(diǎn)擊率:77

最早問世的太陽電池是單晶硅太陽電池。硅是地球上極豐富的一種元素,幾乎遍地都有硅的存在,可說是取之不盡。用硅來制造太陽電池,原料可謂不缺。但是提煉它卻不容易,所以人們在生產(chǎn)單晶硅太陽電池的同時(shí),又研究了多晶硅太陽電池和非晶硅太陽電池,至今商業(yè)規(guī)模生產(chǎn)的太陽電池,還沒有跳出硅的系列。其實(shí)可供制造太陽電池的半導(dǎo)體材料很多,隨著材料工業(yè)的發(fā)展、太陽電池的品種將越來越多。目前已進(jìn)行研究和試制的太陽電池,除硅系列外,還有硫化鎘、砷化鎵、銅銦硒等許多類型的太陽電池,舉不勝舉,以下介紹幾種較常見的太陽電池。

單晶硅太陽電池

單晶硅太陽電池是當(dāng)前開發(fā)得最快的一種太陽電池,它的構(gòu)和生產(chǎn)工藝已定型,產(chǎn)品已廣泛用于空間和地面。這種太陽電池以高純的單晶硅棒為原料,純度要求99.999%。為了降低生產(chǎn)成本,現(xiàn)在地面應(yīng)用的太陽電池等采用太陽能級的單晶硅棒,材料性能指標(biāo)有所放寬。有的也可使用半導(dǎo)體器件加工的頭尾料和廢次單晶硅材料,經(jīng)過復(fù)拉制成太陽電池專用的單晶硅棒。

將單晶硅棒切成片,一般片厚約0.3毫米。硅片經(jīng)過形、拋磨、清洗等工序,制成待加工的原料硅片。加工太陽電池片,首先要在硅片上摻雜和擴(kuò)散,一般摻雜物為微量的硼、磷、銻等。擴(kuò)散是在石英管制成的高溫?cái)U(kuò)散爐中進(jìn)行。這樣就硅片上形成P?/FONT>N結(jié)。然后采用絲網(wǎng)印刷法,精配好的銀漿印在硅片上做成柵線,經(jīng)過燒結(jié),同時(shí)制成背電極,并在有柵線的面涂覆減反射源,以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉。因此,單晶硅太陽電池的單體片就制成了。單體片經(jīng)過抽查檢驗(yàn),即可按所需要的規(guī)格組裝成太陽電池組件(太陽電池板),用串聯(lián)和并聯(lián)的方法構(gòu)成一定的輸出電壓和電流。最后用框架和裝材料進(jìn)行封裝。用戶根據(jù)系統(tǒng)設(shè)計(jì),可將太陽電池組件組成各種大小不同的太陽電池方陣,亦稱太陽電池陣列。目前單晶硅太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率為15%左右,實(shí)驗(yàn)室成果也有20%以上的。

多晶硅太陽電池

晶硅太陽電池的生產(chǎn)需要消耗大量的高純硅材料,而制造這些材料工藝復(fù)雜,電耗很大,在太陽電池生產(chǎn)總成本中己超二分之一。加之拉制的單晶硅棒呈圓柱狀,切片制作太陽電池也是圓片,組成太陽能組件平面利用率低。因此,80年代以來,歐美一些國家投入了多晶硅太陽電池的研制。

目前太陽電池使用的多晶硅材料,多半是含有大量單晶顆粒的集合體,或用廢次單晶硅料和冶金級硅材料熔化澆鑄而成。其工藝過程是選擇電阻率為100~300歐姆?厘米的多晶塊料或單晶硅頭尾料,經(jīng)破碎,用1:5的氫氟酸和硝酸混臺(tái)液進(jìn)行適當(dāng)?shù)母g,然后用去離子水沖洗呈中性,并烘干。用石英坩堝裝好多晶硅料,加人適量硼硅,放人澆鑄爐,在真空狀態(tài)中加熱熔化。熔化后應(yīng)保溫約20分鐘,然后注入石墨鑄模中,待慢慢凝固冷卻后,即得多晶硅錠。這種硅錠可鑄成立方體,以便切片加工成方形太陽電池片,可提高材制利用率和方便組裝。多晶硅太陽電池的制作工藝與單晶硅太陽電池差不多,其光電轉(zhuǎn)換效率約12%左右,稍低于單晶硅太陽電池,但是材料制造簡便,節(jié)約電耗,總的生產(chǎn)成本較低,因此得到大量發(fā)展。

非晶硅太陽電池

非晶硅太陽電池是1976年有出現(xiàn)的新型薄膜式太陽電池,它與單晶硅和多晶硅太陽電池的制作方法完全不同,硅材料消耗很少,電耗更低,非常吸引人。

制造非晶硅太陽電池的方法有多種,最常見的是輝光放電法,還有反應(yīng)濺射法、化學(xué)氣相沉積法、電子束蒸發(fā)法和熱分解硅烷法等。輝光放電法是將一石英容器抽成真空,充入氫氣或氬氣稀釋的硅烷,用射頻電源加熱,使硅烷電離,形成等離子體。非晶硅膜就沉積在被加熱的襯底上。若硅烷中摻人適量的氫化磷或氫化硼,即可得到N型或P型的非晶硅膜。襯底材料一般用玻璃或不銹鋼板。這種制備非晶硅薄膜的工藝,主要取決于嚴(yán)格控制氣壓、流速和射頻功率,對襯底的溫度也很重要。

非晶硅太陽電池的結(jié)構(gòu)有各種不同,其中有一種較好的結(jié)構(gòu)叫PiN電池,它是在襯底上先沉積一層摻磷的N型非晶硅,再沉積一層未摻雜的i層,然后再沉積一層摻硼的P型非晶硅,最后用電子束蒸發(fā)一層減反射膜,并蒸鍍銀電極。此種制作工藝,可以采用一連串沉積室,在生產(chǎn)中構(gòu)成連續(xù)程序,以實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)。同時(shí),非晶硅太陽電池很薄,可以制成疊層式,或采用集成電路的方法制造,在一個(gè)平面上,用適當(dāng)?shù)难谀9に嚕淮沃谱鞫鄠€(gè)串聯(lián)電池,以獲得較高的電壓。因?yàn)槠胀ňw硅太陽電池單個(gè)只有0.5伏左右的電壓,現(xiàn)在日本生產(chǎn)的非晶硅串聯(lián)太陽電池可達(dá)2.4伏。目前非晶硅太陽電池存在的問題是光電轉(zhuǎn)換效率偏低,國際先進(jìn)水平為10%左右,且不夠穩(wěn)定,常有轉(zhuǎn)換效率衰降的現(xiàn)象,所以尚未大量用于作大型太陽能電源,而多半用于弱光電源,如袖珍式電子計(jì)算器、電子鐘表及復(fù)印機(jī)等方面。估計(jì)效率衰降問題克服后,非晶硅太陽電池將促進(jìn)太陽能利用的大發(fā)展,因?yàn)樗杀镜停亓枯p,應(yīng)用更為方便,它可以與房屋的屋面結(jié)合構(gòu)成住戶的獨(dú)立電源。

多元化合物太陽電池

多元化合物太陽電池指不是用單一元素半導(dǎo)體材料制成的太陽電池。現(xiàn)在各國研究的品種繁多,雖然大多數(shù)尚未工業(yè)化生產(chǎn),但預(yù)示著光電轉(zhuǎn)換的滿園春色。現(xiàn)在簡要介紹幾種:

(1)硫化鎘太陽電池--早在1954年雷諾茲就發(fā)現(xiàn)了硫化鎘具有光生伏打效應(yīng)。1960年采用真空蒸鍍法制得硫化鎘太陽電池,光電轉(zhuǎn)換效率為3.5%。到1964年美國制成的硫化鎘太陽電池,光電轉(zhuǎn)換效率提高到4%~6%。后來歐洲掀起了硫化鎘太陽電池的研制高潮,把光電效率提高到9%,但是仍無法與多晶硅太陽電池競爭。不過人們始終沒有放棄它,除了研究燒結(jié)型的塊狀硫化鎘太陽電池外,更著重研究簿膜型硫化鎘太陽電池。它是用硫化亞銅為阻擋層,構(gòu)成異質(zhì)結(jié),按硫化鎘材料的理論計(jì)算,其光電轉(zhuǎn)換效率可達(dá)16.4%。中國科學(xué)院長春應(yīng)用化學(xué)研究所于80年代初曾把薄膜硫化鎘太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率做到7.6%。盡管非晶硅薄膜電池在國際上有較大影響,但是至今有些國家仍指望發(fā)展硫化鎘太陽電池,因?yàn)樗谥圃旃に嚿媳容^簡單,設(shè)備問題容易解決。

(2)砷化鎵太陽電池--砷化鎵是一種很理想的太陽電池材料,它與太陽光譜的匹配較適合,且能耐高溫,在250℃的條件下,光電轉(zhuǎn)換性能仍很良好,其最高光電轉(zhuǎn)換效率約30%,特別適合做高溫聚光太陽電池。已研究的砷化鎵系列太陽電池有單晶砷化鎵、多晶砷化鎵、鎵鋁砷--砷化鎵異質(zhì)結(jié)、金屬--半導(dǎo)體砷化鎵、金屬--絕緣體--半導(dǎo)體砷化鎵太陽電池等。砷化鎵材料的制備類似硅半導(dǎo)體材料的制備,有晶體生長法、直接拉制法、氣相生長法、液相外延法等。由于鎵比較稀缺,砷有毒,制造成本高,此種太陽電池的發(fā)展受到影響。

(3)銅銦硒太陽電池--以銅、銦、硒三元化合物半導(dǎo)體為基本材料制成的太陽電池。它是一種多晶薄膜結(jié)構(gòu),一般采用真空鍍膜、電沉積、電泳法或化學(xué)氣相沉積法等工藝來制備,材料消耗少,成本低,性能穩(wěn)定,光電轉(zhuǎn)換效率在10%以上。因此是一種可與非晶硅薄膜太陽電池相競爭的新型太陽電池。近來還發(fā)展用銅銦硒薄膜加在非晶硅薄膜之上,組成疊層太陽電池的可能,借此提高太陽電池的效率,并克服非晶硅光電效率的衰降。
 

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