在熔接某些特種光纖亦或是不同種光纖對熔的時候，熔接后的損耗往往不太理想，如果在熔接機的既有模式里面不能找到相對應的模式的話，就需要我們手動進行測試來找到符合自己光纖的最合適的熔接參數(shù)，下面我就來介紹一下調(diào)整參數(shù)的辦法，適用于藤倉的干線熔接機60S，80S，包括最新的61S以及62S。
注意點
注意①切割角度需要在1°以內(nèi)進行熔接。
注意②進行熔接損耗平均值比較的時候,和平均值有15%以上差距的判斷為變好或者變壞.
注意③需要使用新的電極棒。
注意④本說明書適用于包層為兩端同樣為125um的光纖進行熔接.
注意⑤以本說明書最后的測試方法來測定熔接損耗.
Step1放電時間（ArcTime）的最優(yōu)化
Step1-1.放電1時間的設(shè)定。
(1)放電1時間→1000[ms]
(2)放電1時間→2000[ms]
(3)放電1時間→3000[ms]
(4)放電1時間→4000[ms]
(5)放電1時間→5000[ms]
在4次多項式曲線上面確定熔接損耗最低條件下的放電1時間T2[ms]，
將其設(shè)定為放電1時間。
Step1-2.放電1時間的最優(yōu)化。(可能的話最好使用3臺機器進行)
①將放電1時間用以下方式進行設(shè)定熔接(每種的熔接次數(shù)N=5)。
(1)放電1時間→T1[ms]
(2)放電1時間→T1×0.9[ms]
(3)放電1時間→T1×1.1[ms]
②在4次多項式曲線上面確定熔接損耗最低條件下的放電1時間T2[ms]，
將其設(shè)定為放電1時間。
Step2較低放電功率下進行熔接
通常情況下不需要進行此步驟。
日本藤倉只在對80um光纖進行熔接參數(shù)設(shè)置的時候才會做這一步。
或者是在放電時間特別短例如1秒以下，亦或是仍然還需要降低損耗的情況下可以嘗試。
將放電功率以20bit為單位下降，然后再次調(diào)整放電時間，確認是不是能夠改善損耗。
放電時間或者損耗有所改善的話說明STEP2可行。
熔接損耗的優(yōu)劣差別如果達不到15％的話，還是選擇原有的放電功率。(因為弱放電功率的情況下，Prefuse可能不能將光纖端面充分融化，比較容易造成熔接后的纖芯偏移)
Step3端面間隔位置（GAPPOS.）的最優(yōu)化
在同種光纖熔接的情況下不需要進行。
端面間隔位置用以下的設(shè)定來進行熔接實驗測試(每種測試次數(shù)N=5)。
(1)端面間隔位置→中心(Step1已經(jīng)得到了數(shù)據(jù))
(2)端面間隔位置→左-15um＋測試觀察結(jié)果
(3)端面間隔位置→左-30um＋測試觀察結(jié)果
(4)端面間隔位置→右-15um＋測試觀察結(jié)果
(5)端面間隔位置→右-30um＋測試觀察結(jié)果
選擇熔接損耗最低的作為最優(yōu)。
Step4.光纖預熔時間（PrefuseTime）的最優(yōu)化
一般設(shè)定為180ms.
MM光纖為240ms（為了對應氣泡的產(chǎn)生設(shè)置為長時間）
80um光纖為60ms
一般以上面3種情況進行選擇就可以，多數(shù)情況不需要特意變更。
Step5.重疊（Overlap）的最優(yōu)化
一般設(shè)定為10um
MM光纖為20um（為了對應氣泡預熔時間增長，相應推進量也要增加）
MM光纖之外變化基本上沒有什么意義。
Step6.聚焦（Focus）的最優(yōu)化
對纖芯對準才有效。
如果不能看見纖芯的話就算變化率聚焦量也會切換為包層對準
數(shù)值的設(shè)定量在AUTO以外一般是0.25或0.3．
G．657光纖一般使用包層對準
纖芯比較小的時候，例如5um的話設(shè)置為0.3，
一般情況下設(shè)置為0.25
需要注意的是大多數(shù)的情況下，對損耗起到最大影響的是放電時間，對于大多數(shù)的光纖只需調(diào)整放電時間就可以起到理想的效果。
N=30熔接數(shù)據(jù)測試
以之前確定的最佳放電條件參數(shù)進行測試(N=30)。
用以下圖示的方法進行測試。
需要設(shè)備
(1)LightSource：AgilentHP-8163A、HP-81654A
(2)PowerMeter：AgilentHP-8163A、HP-81618A
(3)OpticalSensor：AgilentHP-81524A、81624A
(4)IntegratingSphere：AgilentHP-81002FF
測試方法
1.同種光纖熔接
2.同種光纖熔接
