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　　美光公司日前開始量產(chǎn)其32層（32L） 3D NAND快閃記憶體，包含該元件的首批商用下游產(chǎn)品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固態(tài)硬碟（SSD）。如圖1所示，這款產(chǎn)品的連續(xù)讀取/寫入速度分別高達(dá)每秒530MB與每秒510MB；其功耗較一般硬碟驅(qū)動(dòng)器（HDD）改善了90倍，據(jù)稱也更加耐用。

　　Crucial SSD的售價(jià)為200美元，這使其成為筆記型電腦應(yīng)用最具吸引力的選項(xiàng)，而且我們發(fā)現(xiàn)有越來越多的電腦設(shè)備開始利用SSD取代傳統(tǒng)HDD。HDD也許將逐漸被市場(chǎng)所淘汰，不過必須承認(rèn)的是各家相關(guān)廠商仍致力于使其創(chuàng)新，而且HDD的成本仍較SSD更低廉。因此，我們預(yù)計(jì)在短期之內(nèi)，HDD仍將在市場(chǎng)上占據(jù)主導(dǎo)地位。

　　圖1：美光Crucial CT750MX300SSD1 750GB SSD

　　圖2所示為Crucial 750GB SSD的正面與背面電路板拆解圖，可以看到其中包含8個(gè)美光NAND快閃記憶體封裝。這一數(shù)量相當(dāng)于TechInsights在三星（Samsung）T3 2TB SSD中發(fā)現(xiàn)4個(gè)48層（48L） 3D NAND封裝數(shù)量的兩倍。因此，從封裝數(shù)的角度來看，三星在每封裝中的記憶體容量仍然占據(jù)優(yōu)勢(shì)。但從晶片層來看是否同樣領(lǐng)先于美光？

　　圖2：采用美光3D NAND的Crucial SSD產(chǎn)品正面與背面電路板圖

　　三星方面已經(jīng)能夠在每個(gè)NAND封裝中加進(jìn)16塊晶片了，如圖3所示。這意味著每塊面積為99.8平方毫米的晶片可提供32GB儲(chǔ)存容量，或者換算為每平方毫米約320MB。

　　Crucial 750GB SSD中包含8塊美光的封裝，其中單一封裝可容納2塊晶片，面積為165平方毫米。這意味著該記憶體的儲(chǔ)存密度為284MB/mm2，低于三星的320MB/mm2。不過三星的最大優(yōu)勢(shì)在于其48層結(jié)構(gòu)以及20奈米（nm）半位元線間距，相形之下，美光的40nm半位元線間距更為松散。

　　也許我們應(yīng)該用三星在此之前推出的32層（32L） V-NAND進(jìn)行比較，該系列產(chǎn)品發(fā)布于2014年，同樣采用20nm半位元線間距制造。同時(shí)，我們也發(fā)現(xiàn)，美光的284MB/mm2位元密度較優(yōu)于三星在32L V-NAND中實(shí)現(xiàn)的127MB/mm2位元密度。

　　圖3：三星K9UGB8S7M 48L V-NAND快閃記憶體

　　圖4顯示三星48L V-NAND晶片脫層后擴(kuò)散的情形，可看到圖中兩個(gè)大型NAND巨集將晶片一分為二。頁面緩沖與周邊電路就位于NAND陣列巨集下方。該陣列巨集以垂直NAND串所使用的源極選擇電晶體以及源極線觸點(diǎn)加以填充。

　　圖4：三星48L V-NAND的擴(kuò)散級(jí)晶片圖