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發(fā)布日期:2022-10-09 點(diǎn)擊率:248
【引言】
由于短溝道效應(yīng),Sub-5 nm硅(Si)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造是非常困難的。隨著溝道長(zhǎng)度的減小,CMOS器件不僅受到小尺寸的制造技術(shù)的限制,而且還受到一些基本的物理學(xué)原理如漏電場(chǎng),電介質(zhì)的擊穿等限制。為了突破5納米節(jié)點(diǎn)的限制,研究人員探索研究了基于碳納米管、半導(dǎo)體納米線以及二維過(guò)渡金屬化合物等材料的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,但這些器件的工作仍然依賴于外部柵極電壓的調(diào)控機(jī)制。如果這種情況不能繼續(xù)下去,這可能意味著摩爾定律的終結(jié)。壓電電子學(xué)晶體管是一種利用完全不同于上述工作原理的新型器件。這種器件利用金屬-壓電半導(dǎo)體界面處產(chǎn)生的壓電極化電荷(即壓電電勢(shì))作為柵極電壓來(lái)調(diào)控晶體管中載流子的輸運(yùn)特性,并且已經(jīng)在具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)的壓電半導(dǎo)體材料中得到了廣泛證實(shí)。這種二端結(jié)構(gòu)的晶體管不僅創(chuàng)新地利用界面調(diào)控替代了傳統(tǒng)的外部溝道調(diào)控,并且有可能打破溝道寬度的限制。
【成果簡(jiǎn)介】
近日,在中科院北京納米能源與系統(tǒng)研究所所長(zhǎng),佐治亞理工學(xué)院校董教授王中林院士和西安電子科技大學(xué)秦勇教授的指導(dǎo)下,王龍飛博士、劉書海和殷鑫博士等研究成員制備了一種新型的、溝道只有2 nm的超薄氧化鋅壓電電子學(xué)晶體管,首次將壓電電子學(xué)效應(yīng)引入到二維超薄非層狀壓電半導(dǎo)體材料中。該工作系統(tǒng)地研究了二維超薄氧化鋅垂直方向上的壓電特性,利用金屬-半導(dǎo)體界面處產(chǎn)生的壓電極化電荷(即垂直方向上的壓電電勢(shì))作為柵極電壓有效地調(diào)控了該器件的載流子輸運(yùn)特性,并且通過(guò)將兩個(gè)超薄壓電電子學(xué)晶體管串聯(lián)實(shí)現(xiàn)了簡(jiǎn)易的壓力調(diào)控的邏輯電路。這項(xiàng)研究證實(shí)了壓電極化電荷在超短溝道中“門控”效應(yīng)的有效性,該器件不需要外部柵電極或任何其它在納米級(jí)長(zhǎng)度下具有挑戰(zhàn)性的圖案化工藝設(shè)計(jì)。這項(xiàng)研究成果開辟了壓電電子學(xué)效應(yīng)在二維非層狀壓電半導(dǎo)體材料的研究,并且在人機(jī)界面、能源收集和納米機(jī)電系統(tǒng)等領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用前景。相關(guān)研究成果以 “Ultrathin Piezotronic Transistors with 2 nm Channel Lengths”發(fā)表在ACS Nano上。
【圖文導(dǎo)讀】
圖1基于二維氧化鋅的超薄壓電電子學(xué)晶體管
(a) 具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)的超薄氧化鋅結(jié)構(gòu)示意圖
(b) 超薄氧化鋅的側(cè)面結(jié)構(gòu)示意圖
(c) 超薄氧化鋅的壓電效應(yīng)
(d) 基于二維氧化鋅的超薄壓電電子學(xué)晶體管的示意圖
圖2 二維超薄氧化鋅的形貌、電學(xué)特性和壓電特性的表征
(a) 超薄氧化鋅的AFM掃描圖像
(b) HRTEM圖像
(c) 超薄氧化鋅的電學(xué)特性
(d-j) 超薄氧化鋅的壓電特性
圖3 超薄氧化鋅壓電電子學(xué)晶體管的電學(xué)輸運(yùn)特性
(a) 超薄氧化鋅壓電電子學(xué)晶體管的側(cè)面示意圖
(b) 不同壓強(qiáng)下超薄壓電晶體管中載流子的輸運(yùn)特性
(c) 壓電電子學(xué)的原理
(d) 超薄氧化鋅壓電電子學(xué)晶體管的電流實(shí)時(shí)測(cè)量
圖4 壓力調(diào)控的OR邏輯電路
(a-d) 單獨(dú)施加一個(gè)力以及對(duì)應(yīng)輸出電流的狀態(tài)
(e-f) 同時(shí)施加兩個(gè)力以及對(duì)應(yīng)輸出電流的狀態(tài)
【小結(jié)】
研究團(tuán)隊(duì)成功制備了超短溝道的氧化鋅壓電電子學(xué)晶體管,首次證實(shí)了壓電電子學(xué)效應(yīng)在超短溝道中的有效性,為新型壓電電子學(xué)晶體管的研究提供了思路,拓寬了壓電電子學(xué)的研究領(lǐng)域,同時(shí)也開辟了二維非層狀壓電材料的壓電特性的研究。這項(xiàng)研究成果在智能皮膚、人機(jī)界面和納米機(jī)電系統(tǒng)等領(lǐng)域具有潛在的廣闊應(yīng)用前景。
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