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1引言
開關(guān)電源是目前用途非常廣泛的一種電源設(shè)備，然而隨著開關(guān)頻率以及開關(guān)速度的不斷提高，產(chǎn)生的電磁干擾越來越大，由于市場準入制度的實施，電磁干擾研究已引起了足夠的重視。干擾源是電磁干擾的三要素之一，是電磁干擾研究的重要部分，文獻[1~2]對干擾源進行了說明和描述，還有些學者對抑制干擾源發(fā)射的方法和干擾源的輻射進行了研究。本文從干擾源入手，對時域開關(guān)電壓信號進行電磁干擾特性研究，通過提取MOSFET時域電壓信號的特征參數(shù)，利用傅立葉變換(FFT)法，分析了開關(guān)信號電磁干擾的頻譜情況以及各參數(shù)對頻譜的影響，通過Matlab仿真證明了上述分析的正確性及工程實用性。由于FFT后頻域信號的幅值差別較大，難以研究，因此本文在FFT后，進行了對數(shù)變換，這樣既方便研究，又便于與實際進行對比。
2開關(guān)電源中的電磁干擾
由于開關(guān)電源運用了三極管的開關(guān)作用以及PWM技術(shù)，使得它與線性電源相比在效率上得到了極大的提高，但是也隨之帶來了許多問題，在三極管的開關(guān)過程中，其di/dt, dv/dt的值很大，這使得開關(guān)電源在很寬的頻率范圍內(nèi)的噪聲都很大，這些噪聲經(jīng)過電源線傳輸?shù)诫娋W(wǎng)或其它電子設(shè)備上，就會形成電磁干擾。開關(guān)管處的電磁干擾是引起開關(guān)電源中電磁干擾現(xiàn)象的重要部分，開關(guān)管是重要干擾源。
圖1所示是某型號開關(guān)電源中MOSFET漏源極的電壓波形，由一個梯形信號和一個阻尼振蕩信號疊加而成，梯形信號的上升時間和下降時間一般在十納秒到一百納秒之間，電壓和電流的變化率很快，而阻尼振蕩信號則成正弦波的指數(shù)衰減形式，它的振蕩周期一般為幾十到幾百納秒。由于梯形信號上升沿下降沿的di/dt, dv/dt很大，將產(chǎn)生很強的干擾電壓和電流，這些電壓和電流通過某種耦合方式傳輸?shù)捷斎牒洼敵龆丝诰蜁纬呻姶鸥蓴_。在開關(guān)電源中，干擾源處的電磁干擾通常具有頻譜范圍廣，干擾強度大的特點。
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3 特征參數(shù)的確定
圖1中展示了一MOSFET的漏源極電壓波形，為了研究其上升時間、下降時間、阻尼振蕩等對其頻譜的影響，需要確定該波形的特征參數(shù)，然后運用Matlab編程仿真。由于該波形是由一個梯形信號和一個阻尼振蕩信號疊加而成，因此可以用分段函數(shù)進行模擬。上升沿可以用式(1)表示。
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4 仿真分析
本文采用了Matlab進行仿真。圖2是根據(jù)函數(shù)(1)~(4)及確定的特征參數(shù)對圖1仿真得到的開關(guān)信號及其頻譜情況，其中，
從圖中可以看出，該信號的頻率范圍很寬，頻域信號的幅值也很大，當然，這些干擾信號在耦合到電源外部形成電磁干擾時，能量會有很大的衰減。
仿真時，由于傅立葉變換后各頻率點的幅值變化太大，研究工作非常困難，因此本文對傅立葉變換后的幅值進行了取對數(shù)處理，另外對1dBuV的值也進行了歸零。
開關(guān)信號的上升和下降沿對干擾的幅值影響很大，圖3是上升時間或下降時間為10ns時的上升沿或下降沿的頻譜，把上升時間或下降時間改為100ns再仿真時發(fā)現(xiàn)：當上升時間或下降時間增加時，隨著頻率的升高，幅值減小的越快，也就是說，上升或下降時間的變化對高頻干擾幅值影響更大。表1中列出了上升時間或下降時間為10ns和100ns時，不同頻率的電磁干擾幅值和比較結(jié)果。從圖中還可以看出在頻率為
及其諧波頻率附近，電磁干擾的幅值有一個很大的下降。
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為了研究阻尼振蕩對電磁干擾的影響，本文同樣單獨對其進行了研究，圖4為其頻譜，
當把振蕩周期從10個變?yōu)?個時，對比發(fā)現(xiàn)：振蕩時間的長短對振蕩頻率附近的幅值影響最大，對其它頻率的幅值影響很小。表2列出了振蕩周期分別為10個和5個時不同頻率的幅值。
由以上分析可以看出，適當?shù)脑黾娱_關(guān)信號的上升和下降時間，可以降低電磁干擾的發(fā)射，對高頻更為明顯，盡量減小阻尼振蕩的時間，對振蕩頻率附近的電磁干擾發(fā)射，具有明顯的效果。
5 結(jié)論
本文研究了開關(guān)電源中MOSFET漏源極電壓信號電磁干擾的頻譜特性，發(fā)現(xiàn)該信號上升和下降時間的變化對高頻干擾的幅值影響更大，且在頻率為上升和下降時間的倒數(shù)及其諧波附近，干擾幅值有一個突降。通過研究該信號中阻尼振蕩時間、周期等參數(shù)對電磁干擾的影響，得知振蕩時間的長短對振蕩頻率附近的幅值影響最大，對其它頻率的幅值影響很小。
