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【導讀】飛兆半導體的40V PowerTrench MOSFET,在動力轉向應用中的功率控制更強、效率更高，該器件具有最低的導通電阻和較低的柵極電荷，可降低功耗，因此非常適合電動助力轉向、懸架控制和傳動系管理等應用。

汽車動力轉向系統的設計工程師需要能夠提供更高效率和更佳功率控制的解決方案。 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)的40V N溝道PowerTrench MOSFET可幫助設計人員應對這些挑戰。

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圖題：飛兆半導體的40V PowerTrench MOSFET

FDB9403利用飛兆半導體的屏蔽柵極技術，改進了電阻并降低了電容。 該器件的RDS(ON) 比其最直接競爭對手低20%，并具有較低的Qg值，可降低功耗并最終提高總體效率。 FDB9403 MOSFET作為用于電流控制的基本開關，可有效控制電能而不將其浪費，因此非常適合電動助力轉向、懸架控制和傳動系管理等應用。

特色及優勢：

RDS(ON)典型值 = 1m?（VGS = 10V，ID = 80A時），可降低功耗以實現 更高的效率
Qg(tot)典型值= 164nC（VGS = 10V，ID = 80A時），可降低功耗以實現更高的效率
UIS能力
符合RoHS標準且通過AEC Q101認證

封裝和定價信息（1000片起訂，價格單位：美元）
按請求提供樣品。交貨期：收到訂單后8-12周內
采用D2PAK TO-263AB封裝，FDB9403的定價為2.48美元