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IGBT器件

IGBT如何分類?

發布日期:2022-07-25 點擊率:535 品牌:組態王_Kingview

(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。

GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

分類

1、低功率IGBT

IGBT應用范圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區域,為滿足家電行業的發展需求,摩托羅拉、ST半導體、三菱等公司推出低功率IGBT產品,實用于家電行業的微波爐、洗衣機、電磁灶、電子整流器、照相機等產品的應用。

2、U-IGBT

U(溝槽結構)--IGBT是在管芯上刻槽,芯片元胞內部形成溝槽式柵極。采用溝道結構后,可進一步縮小元胞尺寸,減少溝道電阻,進步電流密度,制造相同額定電流而芯片尺寸最少的產品。現有多家公司生產各種U—IGBT產品,適用低電壓驅動、表面貼裝的要求。

3、NPT-IGBT

NPT(非穿通型)--IGBT采用薄硅片技術,以離子注進發射區代替高復雜、高本錢的厚層高阻外延,可降低生產本錢25%左右,耐壓越高本錢差越大,在性能上更具有特色,高速、低損耗、正溫度系數,無鎖定效應,在設計600—1200V的IGBT時,NPT—IGBT可靠性最高。

IGBT是絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

IGBT分為七類:
1、低功率IGBT
IGBT應用范圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區域,為滿足家電行業的發展需求推出低功率IGBT產品,實用于家電行業的微波爐、洗衣機、電磁灶、電子整流器、照相機等產品的應用。
2、U-IGBT
U(溝槽結構)-IGBT是在管芯上刻槽,芯片元胞內部形成溝槽式柵極。采用溝道結構后可進一步縮小元胞尺寸,減少溝道電阻,進步電流密度,制造相同額定電流而芯片尺寸最少的產品。現有多家公司生產各種U-IGBT產品,適用低電壓驅動、表面貼裝的要求。
3、NPT-IGBT
NPT(非穿通型)-IGBT采用薄硅片技術,以離子注進發射區代替高復雜、高本錢的厚層高阻外延,可降低生產成本25%左右,耐壓越高本錢差越大,在性能上更具有特色,高速、低損耗、正溫度系數,無鎖定效應,在設計600—1200V的IGBT時NPT—IGBT可靠性最高。NPT型正成為IGBT發展方向。
4、SDB-IGBT
采用SDB(硅片直接鍵合)技術在IC生產線上制作第四代高速IGBT及模塊系列產品,特點為高速,低飽和壓降,低拖尾電流,正溫度系數易于并聯,在600V和1200V電壓范圍性能優良,分為UF、RUF兩大系統。
5、超快速IGBT
研發重點在于減少IGBT的拖尾效應,使其能快速關斷,研制的超快速IGBT可最大限度地減少拖尾效應,關斷時間不超過2000ns,采用特殊高能照射分層技術,關斷時間可在100ns以下,拖尾更短,重點產品專為電機控制而設計,現有6種型號,另可用在大功率電源變換器中。
6、IGBT/FRD
IGBT/FRD有效結合,將轉換狀態的損耗減少20%,采用TO—247外型封裝,額定規格為1200V、25、50、75、100A,用于電機驅動和功率轉換,以IGBT及FRD為基礎的新技術便于器件并聯,在多芯片模塊中實現更均勻的溫度,進步整體可靠性。
7、IGBT功率模塊
IGBT功率模塊采用IC驅動,各種驅動保護電路,高性能IGBT芯片,新型封裝技術,從復合功率模塊PIM發展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發展,智能化、模塊化成為IGBT發展熱門。

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