在市場(chǎng)再度傳言 IBM 將出售其晶片部門的同時(shí)，該公司正在加速量產(chǎn)新一代絕緣上覆矽(silicon-on-insulator，SOI)與矽鍺(silicon germanium，SiGe)制程，以擴(kuò)大在射頻(RF)晶片代工市場(chǎng)的占有率;該類晶片傳統(tǒng)上大多是采用更稀有的砷化鎵(gallium arsenide，GaAs)制程。
IBM的兩種新制程都在該公司只提供晶圓代工的美國(guó)佛州Burlington晶圓廠運(yùn)作，該座8寸晶圓廠以往曾生產(chǎn)IBM高階伺服器處理器以及相關(guān)晶片，不過那些晶片的生產(chǎn)已經(jīng)移往位于紐約州East Fishkill的 12寸晶圓廠。Burlington晶圓廠為廣泛的客戶提供 CMOS、SOI與SiGe等多種制程，但現(xiàn)在打算將制程種類減少，集中資源在生產(chǎn)RF晶片的SOI制程等技術(shù)上;該種制程目前也是IBM晶圓代工業(yè)務(wù)中成長(zhǎng)最快的。
不過IBM并未透露該晶圓廠的產(chǎn)能規(guī)模以及營(yíng)收，僅表示該公司自四年前開始生產(chǎn)SOI制程RF晶片迄今，該類晶片已經(jīng)累計(jì)出貨達(dá)70億顆──光是去年出貨量就達(dá)30億顆;那些晶片主要是供應(yīng)手機(jī)與無線通訊基地臺(tái)應(yīng)用。
接受EETimes美國(guó)版編輯訪問的IBM代表都不愿針對(duì)晶片部門出售傳言發(fā)表意見，這些專家都是該公司類比制造部門的資深人才，只談技術(shù)。IBM專門生產(chǎn)RF晶片的最新SOI制程代號(hào)為 7SW，以制造RF交換器為主，還有一些功率放大器;無論是蜂巢式通訊或是Wi-Fi設(shè)備，為因應(yīng)對(duì)多重頻段的支援，對(duì)這類元件需求越來越高。
在IBM任職25年、五年前開始負(fù)責(zé)RF SOI業(yè)務(wù)的RF前端技術(shù)開發(fā)經(jīng)理Mark Jaffe表示：「較新一代的智慧型手機(jī)內(nèi)含8~12顆RF交換器，RF前端的構(gòu)造非常復(fù)雜，主要原因是我們現(xiàn)在有采用載波聚合(carrier aggregation)的 Advanced LTE 技術(shù)，支援很多載波路徑以及頻段。
IBM為RF晶片量身打造的SOI制程技術(shù)
7SW是一種1.3微米/1.8微米混合制程，號(hào)稱能提升RF交換器性能30%，同時(shí)將晶片面積尺寸縮小30%?！肝覀冎匦麓蛟炝私粨Q器電晶體，將焦點(diǎn)集中在決定漏電的導(dǎo)通電阻(resistance-on)與關(guān)斷電容(capacitance-off);」Jaffe表示：「其次我們提升了交換器電晶體的擊穿電壓(breakdown voltage)，通常你得堆疊電晶體以承受高電壓需求，但現(xiàn)在你可以建立一個(gè)短一點(diǎn)的堆疊以縮減晶片面積。
此外IBM也改善了電晶體的線性度，將三次諧波失真(the third harmonic distortion)降低了8dB。事實(shí)上7SW制程幕后的核心團(tuán)隊(duì)大概只有10個(gè)人、工作了18個(gè)月;該團(tuán)隊(duì)約是從 2006年開始研發(fā)RF晶片專用的SOI制程。而為了建立第二供應(yīng)來源，IBM已將位于法國(guó)的一座舊晶圓廠獨(dú)立為新公司Altis。
在IBM任職14年、負(fù)責(zé)向無線領(lǐng)域客戶行銷晶圓代工業(yè)務(wù)的Sara Mellinger表示，過去包括Skyworks等市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)級(jí)RF晶片供應(yīng)商，是采用砷化鎵制程制造RF前端晶片，但現(xiàn)在該類晶片已經(jīng)大幅轉(zhuǎn)向采用SiGe或SOI制程。
目前在SOI制程RF晶片代工領(lǐng)域，Tower Jazz是IBM最大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，此外CMOS制程晶圓代工大廠GlobalFoundries 與臺(tái)積電(TSMC)也準(zhǔn)備切入SOI制程搶相關(guān)商機(jī)。目前IBM的7SW制程已經(jīng)在品質(zhì)驗(yàn)證階段，并為關(guān)鍵客戶提供晶片樣品，預(yù)計(jì) 2015年正式量產(chǎn)。
IBM的SiGe制程邁向90奈米節(jié)點(diǎn)
至于IBM代號(hào)9HP的SiGe BiCMOS制程技術(shù)則是90奈米節(jié)點(diǎn)，能支援360 GHz最高振蕩頻率(Fmax)、300+ GHz截止頻率(Ft)，因應(yīng)60~80GHz運(yùn)作頻率的各種晶片所需閾值。而采用90奈米制程節(jié)點(diǎn)，則能實(shí)現(xiàn)接近SOI、媲美砷化鎵制程之更緊密、低功耗的設(shè)計(jì)，可生產(chǎn)包括60GHz的Wi-Fi晶片、蜂巢式骨干網(wǎng)路晶片組、高階測(cè)試設(shè)備用晶片、光學(xué)收發(fā)器，以及規(guī)模雖小、成長(zhǎng)快速的車用雷達(dá)晶片，還有航太軍事應(yīng)用雷達(dá)晶片。
「這將會(huì)是被大幅應(yīng)用的技術(shù);」自1980年代就投入開發(fā)SiGe技術(shù)(當(dāng)時(shí)應(yīng)用于生產(chǎn)IBM伺服器處理器晶片)的IBM院士David Harame表示，目前大多數(shù)SiGe技術(shù)都是采用0.18或0.13微米制程節(jié)點(diǎn)，IBM是最近才領(lǐng)先宣布進(jìn)入90奈米節(jié)點(diǎn)。
9HP制程是IBM的一個(gè)十人小組花了四年時(shí)間開發(fā)，目前已提供數(shù)家關(guān)鍵客戶試用，預(yù)計(jì)8月能通過品質(zhì)驗(yàn)證。如同SOI制程，IBM也將提供9HP制程的開發(fā)套件，此外該公司也提供客制化的介電質(zhì)附加模組(dielectric add-on modules)以及毫米波工具組。Harame強(qiáng)調(diào)：「這并非是產(chǎn)業(yè)界常見的服務(wù)，你在其他先進(jìn)CMOS晶圓廠或12寸晶圓廠就找不到這些東西?！?/p>
該團(tuán)隊(duì)也表示，SiGe制程市場(chǎng)正呈現(xiàn)成長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，因?yàn)槟壳胺涑彩焦歉删W(wǎng)路正邁向采用60GHz連結(jié)技術(shù)，此外車用雷達(dá)也預(yù)計(jì)將被產(chǎn)業(yè)界大幅采用。
