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逆變器的工作原理：

1、直流電可以通過震蕩電路變為交流電；

2、得到的交流電再通過線圈升壓（這時得到的是方形波的交流電）；

3、對得到的交流電進行整流得到正弦波。AC-DC就比較簡單了，我們知道二極管有單向導電性。可以用二極管的這一特性連成一個電橋，讓一端始終是流入的另一端始終是流出的這就得到了電壓正弦變化的直流電。如果需要平滑的直流電還需要進行整流，簡單的方法就是連接一個電容。Inverter是一種DC to AC的變壓器，它其實與Adapter是一種電壓逆變的過程。Adapter是將市電電網的交流電壓轉變為穩定的12V直流輸出，而Inverter是將Adapter輸出的12V直流電壓轉變為高頻的高壓交流電；兩個部分同樣都采用了目前用得比較多的脈寬調制（PWM）技術。其核心部分都是一個PWM集成控制器，Adapter用的是UC3842，Inverter則采用TL5001芯片。TL5001的工作電壓范圍3.6～40V，其內部設有一個誤差放大器，一個調節器、振蕩器、有死區控制的PWM發生器、低壓保護回路及短路保護回路等。以下將對Inverter的工作原理進行簡要介紹：

 輸入接口部分：輸入部分有3個信號，12V直流輸入VIN、工作使能電壓ENB及Panel電流控制信號DIM。VIN由Adapter提供，ENB電壓由主板上的MCU提供，其值為0或3V，當ENB=0時，Inverter不工作，而ENB=3V時，Inverter處于正常工作狀態；而DIM電壓由主板提供，其變化范圍在0～5V之間，將不同的DIM值反饋給PWM控制器反饋端，Inverter向負載提供的電流也將不同，DIM值越小，Inverter輸出的電流就越大。電壓啟動回路：ENB為高電平時，輸出高壓去點亮Panel的背光燈燈管。PWM控制器：有以下幾個功能組成：內部參考電壓、誤差放大器、振蕩器和PWM、過壓保護、欠壓保護、短路保護、輸出晶體管。直流變換：由MOS開關管和儲能電感組成電壓變換電路，輸入的脈沖經過推挽放大器放大后驅動MOS管做開關動作，使得直流電壓對電感進行充放電，這樣電感的另一端就能得到交流電壓。LC振蕩及輸出回路：保證燈管啟動需要的1600V電壓，并在燈管啟動以后將電壓降至800V。輸出電壓反饋：當負載工作時，反饋采樣電壓，起到穩定Inventer電壓輸出的作用。其實你可以想象一下了。都有那些電子元件需要正負極，電阻，電感一般不需要。二極管一般壞的可能就是被擊穿只要電壓正常一般是沒有問題的，三極管的話是不會導通的。穩壓管如果正負接反的話就會損壞了，但一般有的電路加了保護就是利用二極管的單向導通來保護。在就是電容了，電容里有正負之分的就是電解電容了，如果正負接反嚴重的話其外殼發生爆裂。主要元件二極管。開關管振蕩變壓器。取樣。調寬管。還有振蕩回路電阻電容等參開關電路原理。 

逆變器的主功率元件的選擇至關重要，目前使用較多的功率元件有達林頓功率晶體管（BJT），功率場效應管（MOSFET），絕緣柵晶體管（IGBT）和可關斷晶閘管（GTO）等，在小容量低壓系統中使用較多的器件為MOSFET，因為MOSFET具有較低的通態壓降和較高的開關頻率，在高壓大容量系統中一般均采用IGBT模塊，這是因為MOSFET隨著電壓的升高其通態電阻也隨之增大，而IGBT在中容量系統中占有較大的優勢，而在特大容量（100KVA以上）系統中，一般均采用GTO作為功率元件大件：場效應管或IGBT、變壓器、電容、二極管、比較器以及3525之類的主控。交直交逆變還有整流濾波。功率大小和精度，關系著電路的復雜程度。可以看一下手機充電器，這就是一個小開關電源！IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為新型電力半導體場控自關斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極性器件的低電阻于一體，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電力變換中獲得極廣泛的應用。與此同時，各大半導體生產廠商不斷開發IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠性、低成本技術，主要采用1um以下制作工藝，研制開發取得一些新進展。

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