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場效應晶體管（英語：field-effecttransistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應控制電流的電子元件。它依靠電場去控制導電溝道形狀，因此能控制半導體材料中某種類型載流子的溝道的導電性。場效應晶體管有時被稱為單極性晶體管，以它的單載流子型作用對比雙極性晶體管（bipolar junction transistors，縮寫：BJT）。盡管由于半導體材料的限制，以及曾經雙極性晶體管比場效應晶體管容易制造，場效應晶體管比雙極性晶體管要晚造出，但場效應晶體管的概念卻比雙極性晶體管早。

（1）主要作用

1）場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。

2）場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。

3）場效應管可以用作可變電阻。

4）場效應管可以方便地用作恒流源。

5）場效應管可以用作電子開關。

（2）特點

1）場效應管是電壓控制器件，它通過VGS來控制ID；

2）場效應管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大。

3）它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好；

4）它組成的放大電路的電壓放大系數要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數；

5）場效應管的抗輻射能力強；

6）由于不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。